EMX1FHAT2R

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: EMX1FHAT2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
EMX1FHAT2R Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN+NPN SOT-563 .15A 120 tohFE 50V

Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Непрерывный коллекторный ток	150 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	EMX1FHA
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	8000
Технология	Si
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-563-6
CNHTS	8541100000
MXHTS	85411001

Метки: