BSM400C12P3G202

BSM400C12P3G202

BSM400C12P3G202
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BSM400C12P3G202
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
BSM400C12P3G202 Лист данных скачать
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технология SiC
Pd - рассеивание мощности 1570 W
Вид монтажа Screw
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 40 C
Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
Производитель ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки 4
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tray
Метки:
Страница создана за 0.144 секунд.