DMT10H025SSS-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMT10H025SSS-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
DMT10H025SSS-13 Лист данных	скачать

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V-100V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	7.4 A
Pd - рассеивание мощности	12.9 W
Qg - заряд затвора	21.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	11.2 ns
Время спада	13.7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Типичное время задержки выключения	27.5 ns
Типичное время задержки при включении	8.2 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SO-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: