FGA40T65UQDF

Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
Номер части: FGA40T65UQDF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGA40T65UQDF Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Trench IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
TARIC (Единый тариф ЕЭС)	8541290000
Код HTS	8541290095
Pd - рассеивание мощности	231 W
Вес изделия	6.401 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.33 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	80 A
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	FGA40T65UQDF
Технология	Si
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 400 nA
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PN-3
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС)	8541290000

Метки: