MRF101BN

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: MRF101BN
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
MRF101BN Лист данных	скачать

РЧ МОП-транзисторы MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL

РЧ МОП-транзисторы
Код HTS	8541290095
Id - непрерывный ток утечки	8.8 A
Pd - рассеивание мощности	182 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток	133 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 6 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.7 V
Вид монтажа	Through Hole
Выходная мощность	100 W
Категория продукта	РЧ МОП-транзисторы
Количество каналов	1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	7.1 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Рабочая частота	1.8 MHz to 250 MHz
Размер фабричной упаковки	250
Серия	MRF101
Технология	Si
Тип	RF Power MOSFET
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка / блок	TO-220-3
Усиление	21.1 dB

Метки: