BSM250D17P2E004

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BSM250D17P2E004
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSM250D17P2E004 Лист данных	скачать

Дискретные полупроводниковые модули 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module

Дискретные полупроводниковые модули
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Id - непрерывный ток утечки	250 A
Pd - рассеивание мощности	1800 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1700 V
Vgs - напряжение затвор-исток	22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	55 ns
Время спада	70 ns
Категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
Конфигурация	Dual
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	Power MOSFET Modules
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	4
Тип	Half Bridge Module
Типичное время задержки выключения	195 ns
Типичное время задержки при включении	55 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tray

Метки: