Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| EMX51T2R Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 400 MHz |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | EMX51 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |