Ничего не куплено!
US6T8TR
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: US6T8TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Номер части: US6T8TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| US6T8TR Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT PNP+PNP -12VCEO-1.5A SOT-363T
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Высота | 0.77 mm |
| Длина | 2 mm |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Непрерывный коллекторный ток | - 1.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 400 MHz |
| Ширина | 1.7 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | US6T8 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 1.5 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 85 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-363T-6 |
Страница создана за 0.16 секунд.