Ничего не куплено!
UMT18NTR
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: UMT18NTR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Номер части: UMT18NTR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| UMT18NTR Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT PNP+PNP -12VCEO-0.5A SOT-363
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Непрерывный коллекторный ток | - 500 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 260 MHz |
| Ширина | 1.25 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | UMT18N |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 100 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Страница создана за 0.529 секунд.